Výrobca Číslo produktu:
IPW65R125CFD7XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPW65R125CFD7XKSA1-DG
Popis:
HIGH POWER_NEW
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 98W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventár:
12988685
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPW65R125CFD7XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ CFD7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
125mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 420µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1694 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
98W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IPW65R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
448-IPW65R125CFD7XKSA1
SP005413372
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK7A80W,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK8A25DA,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
