Výrobca Číslo produktu:
TK8A25DA,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK8A25DA,S4X-DG
Popis:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 7.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
4 Ks Nové Originálne Na Sklade
12988692
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
VCUo
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK8A25DA,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
500mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
550 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
264-TK8A25DAS4X-DG
264-TK8A25DA,S4X
264-TK8A25DA,S4X-DG
264-TK8A25DAS4X
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS138WT106
NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI
TK5A60W5,S5VX
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
TPH4R008QM,LQ
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
