Výrobca Číslo produktu:
IPZA60R037P7XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPZA60R037P7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 76A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Inventár:
240 Ks Nové Originálne Na Sklade
12822650
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPZA60R037P7XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
76A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
37mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1.48mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
121 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5243 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
255W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO247-4
Balenie / puzdro
TO-247-4
Základné číslo produktu
IPZA60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
SP001707736
IFEINFIPZA60R037P7XKSA1
2156-IPZA60R037P7XKSA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MMIX1F210N30P3
MOSFET N-CH 300V 108A 24SMPD
IRFZ48ZPBF
MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
IRLSL3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
