Výrobca Číslo produktu:
IRF3707S
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF3707S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
12803075
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF3707S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
62A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1990 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
87W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF3707S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PSMN4R3-30BL,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9945
ČÍSLO DIELU
PSMN4R3-30BL,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.58
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PSMN017-30BL,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1868
ČÍSLO DIELU
PSMN017-30BL,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IRFS4321TRRPBF
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
IRF7524D1PBF
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
