Výrobca Číslo produktu:
IRF5810TR
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF5810TR-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
12806839
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF5810TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.9A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
650pF @ 16V
Výkon - Max
960mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Základné číslo produktu
IRF58
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF9956PBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
IRFH4257DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
IRF3546MTRPBF
MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41QFN