Výrobca Číslo produktu:
IRFH4257DTRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFH4257DTRPBF-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 25A 25W, 28W Surface Mount Dual PQFN (5x4)
Inventár:
12806851
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFH4257DTRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 35µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1321pF @ 13V
Výkon - Max
25W, 28W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Balík zariadení dodávateľa
Dual PQFN (5x4)
Základné číslo produktu
IRFH4257
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
IRFH4257DTRPBFDKR
SP001572506
IRFH4257DTRPBFCT
IRFH4257DTRPBFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSC035N04LSGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15817
ČÍSLO DIELU
BSC035N04LSGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.41
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF3546MTRPBF
MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41QFN
IRF7319TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
IRF7325
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO