IRF6614TR1
Výrobca Číslo produktu:

IRF6614TR1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF6614TR1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST

Inventár:

Online RFQ
12818571
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF6614TR1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.25V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2560 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ ST
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric ST

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
IRF6614

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP001525534

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IRFR3504ZTRRPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

infineon-technologies

IRFR3709ZPBF

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

infineon-technologies

IRFH5210TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

infineon-technologies

IRF540ZSTRL

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK