Výrobca Číslo produktu:
IRFH5210TR2PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFH5210TR2PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 55A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
12818599
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFH5210TR2PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta), 55A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14.9mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2570 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
400
Iné mená
IRFH5210TR2PBFCT
IRFH5210TR2PBFTR
SP001556356
IRFH5210TR2PBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TPH12008NH,L1Q
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5000
ČÍSLO DIELU
TPH12008NH,L1Q-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STL60N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2720
ČÍSLO DIELU
STL60N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMT10H015LFG-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
37130
ČÍSLO DIELU
DMT10H015LFG-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF540ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IPP024N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRF6713STRPBF
MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
