IRF6628TR1PBF

Výrobca Číslo produktu:

IRF6628TR1PBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF6628TR1PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET

Podrobný popis:

N-Channel 25 V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventár:

Online RFQ

12805943

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF6628TR1PBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

25 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

27A (Ta), 160A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

2.5mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.35V @ 100µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

47 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

3770 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.8W (Ta), 96W (Tc)

Prevádzková teplota

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

DIRECTFET™ MX

Balenie / puzdro

DirectFET™ Isometric MX

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IRF6628TR1PBF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,000

Iné mená

IRF6628TR1PBFCT

IRF6628TR1PBFDKR

IRF6628TR1PBFTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IRLTS6342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP

infineon-technologies

IPP80N06S2L-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRLR2705TRL

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

infineon-technologies

IRL40T209ATMA1

MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF