Výrobca Číslo produktu:
IRF6714MTRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6714MTRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 166A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventár:
12805507
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6714MTRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Ta), 166A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3890 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MX
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MX
Základné číslo produktu
IRF6714
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,800
Iné mená
SP001532368
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPU30P06P
MOSFET P-CH 60V 30A TO251-3
IPP062NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IRL40B212
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB