Výrobca Číslo produktu:
IRF6721STR1PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF6721STR1PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventár:
12805599
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6721STR1PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Ta), 60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1430 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ SQ
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric SQ
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP001526984
IRF6721STR1PBFTR
IRF6721STR1PBFDKR
IRF6721STR1PBFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PSMN7R0-30YL,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2799
ČÍSLO DIELU
PSMN7R0-30YL,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPF06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPP100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPB80N06S207ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3