Výrobca Číslo produktu:
IRF7311TR
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7311TR-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
Inventár:
12803294
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7311TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
700mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
900pF @ 15V
Výkon - Max
2W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
IRF731
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SP001562178
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS9926A
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9224
ČÍSLO DIELU
FDS9926A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.21
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
ZXMN2A04DN8TA
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
584
ČÍSLO DIELU
ZXMN2A04DN8TA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.78
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF5851TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
BSL806NL6327HTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
IRF8910GPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
