Výrobca Číslo produktu:
IRF7329TR
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7329TR-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Inventár:
12858818
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7329TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.2A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
900mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3450pF @ 10V
Výkon - Max
2W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
IRF732
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF7329TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
25277
ČÍSLO DIELU
IRF7329TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.49
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTQD6968R2
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP
SI4532DY
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
NTLUD3191PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN