Výrobca Číslo produktu:

IRF7459

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF7459-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

Podrobný popis:

N-Channel 20 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventár:

Online RFQ

12814886

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF7459 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

12A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

2.8V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

9mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

35 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±12V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2480 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.5W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-SO

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

95

Iné mená

*IRF7459

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IRLR3636TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

infineon-technologies

IRF5210PBF

MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB

epc

EPC2052

GANFET N-CH 100V 8.2A DIE

texas-instruments

CSD25301W1015

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA