Výrobca Číslo produktu:
IRF7705GTRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7705GTRPBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventár:
12806444
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7705GTRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2774 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSSOP
Balenie / puzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
IRF7705GTRPBFTR
IRF7705GTRPBFDKR
IRF7705GTRPBFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF1607PBF
MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
IRFP048NPBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO247AC
SPA11N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
