Výrobca Číslo produktu:
IRF7854PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF7854PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12823115
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF7854PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.9V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1620 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
95
Iné mená
SP001551588
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF7854TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16813
ČÍSLO DIELU
IRF7854TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP139N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
IRLMS1902TR
MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
IXTH150N17T
MOSFET N-CH 175V 150A TO247
