Výrobca Číslo produktu:
IRF8010STRLPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF8010STRLPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
3480 Ks Nové Originálne Na Sklade
12802531
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF8010STRLPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3830 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
260W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRF8010
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
IRF8010STRLPBFTR
IRF8010STRLPBFDKR
IRF8010STRLPBFCT
IRF8010STRLPBF-DG
SP001565774
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSB056N10NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
IPU80R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
IRF6216TRPBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO