Výrobca Číslo produktu:

IRF9332PBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF9332PBF-DG

Popis:

MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO

Podrobný popis:

P-Channel 30 V 9.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventár:

Online RFQ

12804383

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF9332PBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Infineon Technologies

Balenie

-

Seriál

HEXFET®

Stav produktu

Discontinued at Digi-Key

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

9.8A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

17.5mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.4V @ 25µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

41 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1270 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.5W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-SO

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

95

Iné mená

SP001563824

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IRFH8202TRPBF

MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN

infineon-technologies

IPP45N06S3L-13

MOSFET N-CH 55V 45A TO220-3

infineon-technologies

IPP70N10SL16AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3

infineon-technologies

IRF3415STRR

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK