Výrobca Číslo produktu:
IRFH8202TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFH8202TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 47A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
12804384
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFH8202TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
47A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.05mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7174 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.6W (Ta), 160W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
IRFH8202
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
IRFH8202TRPBFCT
IRFH8202TRPBF-DG
SP001572718
IRFH8202TRPBFTR
2156-IRFH8202TRPBF-448
IRFH8202TRPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSC010NE2LSATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
19280
ČÍSLO DIELU
BSC010NE2LSATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP45N06S3L-13
MOSFET N-CH 55V 45A TO220-3
IPP70N10SL16AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
IRF3415STRR
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
