IRF9520NLPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRF9520NLPBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRF9520NLPBF-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 6.8A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Through Hole TO-262

Inventár:

Online RFQ
12805922
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF9520NLPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
IRF9520NSPbF(LPbF)

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IRFS7530TRL7PP

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

infineon-technologies

IPP80N06S2L11AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IPI90R800C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3

infineon-technologies

IRFU3910PBF

MOSFET N-CH 100V 16A IPAK