IRFHM8342TRPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRFHM8342TRPBF

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IRFHM8342TRPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.6W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Inventár:

12806400
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFHM8342TRPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
560 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.6W (Ta), 20W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
4,000
Iné mená
2156-IRFHM8342TRPBF
SP001551976
ROCIRFIRFHM8342TRPBF
IRFHM8342TRPBFCT
IRFHM8342TRPBFTR
IRFHM8342TRPBFDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FDMC8882
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
61937
ČÍSLO DIELU
FDMC8882-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDMC8878
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6381
ČÍSLO DIELU
FDMC8878-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMG4468LFG-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMG4468LFG-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E080BNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
40431
ČÍSLO DIELU
RQ3E080BNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.10
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMS3014SFG-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15880
ČÍSLO DIELU
DMS3014SFG-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

SPD50N03S2L06T

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

infineon-technologies

IRFS5615TRLPBF

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

infineon-technologies

IRFU18N15D

MOSFET N-CH 150V 18A IPAK

infineon-technologies

IRLU9343

MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK