Výrobca Číslo produktu:
IRFI9Z24N
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFI9Z24N-DG
Popis:
MOSFET P-CH 55V 9.5A TO220AB FP
Podrobný popis:
P-Channel 55 V 9.5A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventár:
12804869
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFI9Z24N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
175mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
29W (Tc)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB Full-Pak
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP10P6F6
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
555
ČÍSLO DIELU
STP10P6F6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPW65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
IRFH5007TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
IPW65R190CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
