Výrobca Číslo produktu:
IRFL4105TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFL4105TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventár:
6035 Ks Nové Originálne Na Sklade
12806152
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFL4105TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
660 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
IRFL4105
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IRFL4105TRPBF-DG
IRFL4105TRPBFTR
SP001551996
IRFL4105TRPBFCT
INFIRFIRFL4105TRPBF
2156-IRFL4105TRPBFINF
IRFL4105TRPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
SPB100N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IPSA70R2K0P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
