Výrobca Číslo produktu:
IRFP4232PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFP4232PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 60A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 60A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
12805724
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFP4232PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35.7mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7290 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
430W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Technické údaje a dokumenty
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
SP001571078
Q2102191
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP4332PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
471
ČÍSLO DIELU
IRFP4332PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.48
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFZ44NSPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
IRFS17N20D
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
IRF7464TRPBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
