Výrobca Číslo produktu:
IRFR3411TRPBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFR3411TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventár:
12407 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804840
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFR3411TRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1960 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
130W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IRFR3411
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
SP001564934
IRFR3411TRPBFCT
IRFR3411TRPBF-DG
IRFR3411TRPBFTR
IRFR3411TRPBFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
IRFZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
IPB60R099C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
