Výrobca Číslo produktu:
IRFSL23N20D
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFSL23N20D-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262
Inventár:
12802991
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFSL23N20D Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1960 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFSL23N20D
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQI27N25TU
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
600
ČÍSLO DIELU
FQI27N25TU-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.48
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MIC94031YM4-TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
IPI12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
IPAW60R280CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
