Výrobca Číslo produktu:
IRFZ34NS
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFZ34NS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 29A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
12805447
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFZ34NS Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFZ34NS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PSMN015-60BS,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11707
ČÍSLO DIELU
PSMN015-60BS,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BUK7635-55A,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
BUK7635-55A,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.18
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7663TRPBF
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
IRLU3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
IRL2703S
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
