Výrobca Číslo produktu:
IRL2505L
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRL2505L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 104A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 104A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventár:
12814376
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRL2505L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
104A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8mOhm @ 54A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRL2505L
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPI50N10S3L16AKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPI50N10S3L16AKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.38
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR3412TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IRFS31N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
IRLR2703TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
