Výrobca Číslo produktu:
IRL60HS118
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRL60HS118-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 18.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventár:
36069 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805015
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRL60HS118 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 10µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
660 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
11.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Balenie / puzdro
6-PowerVDFN
Základné číslo produktu
IRL60HS118
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
IRL60HS118DKR
IRL60HS118TR
SP001592258
IRL60HS118CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF3706S
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IPP65R225C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
IRFZ48VPBF
MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB
