Výrobca Číslo produktu:
IRL60S216
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRL60S216-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
12806624
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRL60S216 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
15330 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
375W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRL60S216
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
IRL60S216CT
INFINFIRL60S216
SP001573906
2156-IRL60S216
IRL60S216DKR
IRL60S216TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB019N06L3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7726
ČÍSLO DIELU
IPB019N06L3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.57
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF6727MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
SPP15P10P
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
