Výrobca Číslo produktu:
SPP20N65C3XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPP20N65C3XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
462 Ks Nové Originálne Na Sklade
12806750
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
0tke
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPP20N65C3XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SPP20N65
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP000681064
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP22N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFP22N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.43
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SPW20N60C3FKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2123
ČÍSLO DIELU
SPW20N60C3FKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.91
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPD50N03S207GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
SPI07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
IRF1310NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
