Výrobca Číslo produktu:
IRF1407PBF
Product Overview
Výrobca:
International Rectifier
Číslo dielu:
IRF1407PBF-DG
Popis:
IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
1150 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946794
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF1407PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
130A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
330W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
236
Iné mená
INFIRFIRF1407PBF
2156-IRF1407PBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDFMA2P853
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
FCPF380N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
