Výrobca Číslo produktu:
GWM100-01X1-SLSAM
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
GWM100-01X1-SLSAM-DG
Popis:
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 90A Surface Mount ISOPLUS-DIL™
Inventár:
12910852
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
GWM100-01X1-SLSAM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
-
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
17-SMD, Flat Leads
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS-DIL™
Základné číslo produktu
GWM100
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
GWM100-01X1-SL SAM-DG
GWM100-01X1-SL SAM
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
GWM100-01X1-SL
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
SI5509DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
BUK9K20-80EX
MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
