Výrobca Číslo produktu:
SI7913DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7913DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventár:
1751 Ks Nové Originálne Na Sklade
12911528
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7913DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.3W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8 Dual
Základné číslo produktu
SI7913
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7913DN-T1-GE3-DG
SI7913DN-T1-GE3CT
SI7913DNT1GE3
SI7913DN-T1-GE3TR
SI7913DN-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MKE38P600TLB-TRR
MOSFET ISOPLUS-SMPD
SI4561DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
SI5948DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET