Výrobca Číslo produktu:
SI4561DY-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4561DY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12911654
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4561DY-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.8A, 7.2A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
640pF @ 20V
Výkon - Max
3W, 3.3W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
SI4561
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TPC8408,LQ(S
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3530
ČÍSLO DIELU
TPC8408,LQ(S-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI5948DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
SI4818DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7A 8SOIC
SI1926DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6