Výrobca Číslo produktu:
SI4818DY-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4818DY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5.3A, 7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12911804
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4818DY-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
LITTLE FOOT®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.3A, 7A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
800mV @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1W, 1.25W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
SI4818
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS8978
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8828
ČÍSLO DIELU
FDS8978-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMG4822SSD-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4911
ČÍSLO DIELU
DMG4822SSD-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI1926DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
SI5944DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
SI4804CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC