Výrobca Číslo produktu:
IXFA5N100P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFA5N100P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventár:
12906565
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFA5N100P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1830 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA (IXFA)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXFA5N100
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFBF30STRLPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
911
ČÍSLO DIELU
IRFBF30STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.50
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR9210
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IXFP5N100P
MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
IRF730S
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
