IRFBF30STRLPBF

Výrobca Číslo produktu:

IRFBF30STRLPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFBF30STRLPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263

Podrobný popis:

N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

911 Ks Nové Originálne Na Sklade

12908061

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRFBF30STRLPBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

900 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

3.6A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

3.7Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

78 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1200 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

125W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-263 (D2PAK)

Balenie / puzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základné číslo produktu

IRFBF30

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

IRFBF30STRLPBF-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

800

Iné mená

IRFBF30STRLPBFCT

IRFBF30STRLPBFTR

IRFBF30STRLPBFDKR

IRFBF30STRLPBF-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

littelfuse

IXFT20N100P

MOSFET N-CH 1000V 20A TO268

IRC530PBF

MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5

vishay-siliconix

IRF820LPBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK

vishay-siliconix

IRFBF20SPBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK