Výrobca Číslo produktu:
IXFC12N80P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFC12N80P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventár:
12819562
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFC12N80P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, PolarHT™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
930mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
120W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS220™
Balenie / puzdro
ISOPLUS220™
Základné číslo produktu
IXFC12N80
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP7N80P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
299
ČÍSLO DIELU
IXFP7N80P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.31
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTP32P20T
MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB
IXFK240N15T2
MOSFET N-CH 150V 240A TO264AA
IXFT150N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 150A TO268HV
