Výrobca Číslo produktu:
IXFH75N10Q
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH75N10Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventár:
12821086
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH75N10Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AD (IXFH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH75
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
APT10M25BVRG
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
APT10M25BVRG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
9.30
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
HUF75652G3
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
450
ČÍSLO DIELU
HUF75652G3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
APT10M19BVRG
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
42
ČÍSLO DIELU
APT10M19BVRG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
9.29
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTP1N80P
MOSFET N-CH 800V 1A TO220AB
IXTH30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
IXTA1N80
MOSFET N-CH 800V 750MA TO263
