Výrobca Číslo produktu:
IXFK90N20Q
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFK90N20Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventár:
12822254
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFK90N20Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Q Class
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
22mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-264AA (IXFK)
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXFK90
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
IXFK90N20Q-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFK170N25X3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9
ČÍSLO DIELU
IXFK170N25X3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
13.38
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFK170N20T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5571
ČÍSLO DIELU
IXFK170N20T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
8.72
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFK120N20P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFK120N20P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.73
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTC200N10T
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
IXTB62N50L
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
PHD18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
