Výrobca Číslo produktu:
IXFL82N60P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFL82N60P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 55A (Tc) 625W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
Inventár:
25 Ks Nové Originálne Na Sklade
12821858
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFL82N60P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
55A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
78mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
23000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
625W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS264™
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXFL82
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFQ120N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
IXTI10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
IXTA3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO263
