Výrobca Číslo produktu:
IXFP20N85X
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFP20N85X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 850 V 20A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12818945
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFP20N85X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
850 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1660 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
540W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXFP20
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFH20N85X
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
271
ČÍSLO DIELU
IXFH20N85X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.25
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTN21N100
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
IXFH120N20P
MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
IXTP180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB