IXFR38N80Q2
Výrobca Číslo produktu:

IXFR38N80Q2

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXFR38N80Q2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventár:

12913234
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXFR38N80Q2 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, Q2 Class
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8340 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
416W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS247™
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFR38

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
APT38F80B2
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
37
ČÍSLO DIELU
APT38F80B2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
13.93
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
littelfuse

IXFH24N60X

MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3

vishay-siliconix

IRFRC20PBF

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

vishay-siliconix

SI2301BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

vishay-siliconix

SI1450DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70