Výrobca Číslo produktu:
IXFT26N60Q
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFT26N60Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 26A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventár:
12820053
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFT26N60Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
250mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268AA
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXFT26
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTT30N60L2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTT30N60L2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
13.43
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTH60N25
MOSFET N-CH 250V 60A TO247
IXFH40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
IXFK32N90P
MOSFET N-CH 900V 32A TO264AA