Výrobca Číslo produktu:
IXFV15N100P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFV15N100P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 15A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventár:
12904891
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFV15N100P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, PolarP2™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
760mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
97 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5140 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
543W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS220
Balenie / puzdro
TO-220-3, Short Tab
Základné číslo produktu
IXFV15
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP13N95K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
995
ČÍSLO DIELU
STP13N95K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.34
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
APT14F100B
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8
ČÍSLO DIELU
APT14F100B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.80
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFN90N30
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
ZXM62P03E6TA
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
VN10LPSTZ
MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
