Výrobca Číslo produktu:
IXFV22N50P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFV22N50P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 350W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventár:
12819207
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFV22N50P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, PolarHT™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
270mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2630 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
350W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS220
Balenie / puzdro
TO-220-3, Short Tab
Základné číslo produktu
IXFV22
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
APT24F50B
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
265
ČÍSLO DIELU
APT24F50B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.67
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFE80N50
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
IXTH16P20
MOSFET P-CH 200V 16A TO247
IXFB72N55Q2
MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
