Výrobca Číslo produktu:
IXFV26N50P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFV26N50P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 400W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventár:
12821606
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFV26N50P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, PolarHT™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
400W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS220
Balenie / puzdro
TO-220-3, Short Tab
Základné číslo produktu
IXFV26
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
APT30F50B
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
86
ČÍSLO DIELU
APT30F50B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.10
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFP80N25X3
MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
IXFN150N15
MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
IXTY1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
