Výrobca Číslo produktu:
IXFX120N20
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFX120N20-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventár:
12821288
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFX120N20 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
560W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS247™-3
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
IXFX120
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
IFX120N20
IXFX120N20-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP90N20DPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
574
ČÍSLO DIELU
IRFP90N20DPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.02
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFX170N20P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFX170N20P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
16.10
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
IXTN17N120L
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
IXTT68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
