Výrobca Číslo produktu:
IXFX170N20T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFX170N20T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 170A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventár:
12914117
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFX170N20T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Trench
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
170A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
19600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS247™-3
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
IXFX170
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP4668PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8420
ČÍSLO DIELU
IRFP4668PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.38
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRFP054PBF
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
SI5482DU-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
